Американская компания по производству цифровой памяти Micron Technology заявила о прорыве в области создания флэш-памяти типа 3D NAND.
Новинка позволит оборудовать ноутбуки накопителями с емкостью более 10 ТБ.
Технология, созданная при участии специалистов Intel, основана на использовании большого числа слоев ячеек, которые наложены друг на друга. Инженерам удалось расположить таким образом 32 слоя. С помощью технологии хранения двух битов данных в одной ячейке они получили чип емкостью 32 ГБ, а для трех битов данных в одной ячейке — чип емкостью 48 ГБ.
«Двухмерная NAND-память близка к своей технологической границе, что становится вызовом для индустрии флэш-памяти. Перспективная технология 3D NAND позволит производителям чипов памяти продолжить следовать закону Мура, обеспечить дальнейший рост производительности и сокращения издержек», — пояснили в Micron.
Производитель заверил, что новые чипы позволят выпускать накопитали емкостью 3,5 ТБ размером с жевательную резинку и емкостью более 10 ТБ размером с 2,5-дюймовый диск.Такие показатели в 3-10 превышают нынешние возможности дисков.
Компания надеется, что первые продукты на основе новой технологии будут доступны на рынке уже в 2016 году.